“這項(xiàng)研討立異性地挑選了多重二維資料堆疊構(gòu)成了半浮柵結(jié)構(gòu)晶體管：二硫化鉬、二硒化鎢、二硫化鉿別離用于開關(guān)電荷輸運(yùn)和貯存，氮化硼作為隧穿層，制成階梯能谷結(jié)構(gòu)的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)。”周鵬介紹，挑選這幾種二維資料，將充分發(fā)揮二維資料的豐厚能帶特性，“一部分好像一道可隨手開關(guān)的門，電子易進(jìn)難出；另一部分則像以面密不透風(fēng)的墻，電子難以進(jìn)出。對‘寫入速度’與‘非易失性’的調(diào)控，就在于這兩部分的份額。”

　　寫入速度比現(xiàn)在U盤快10000倍，數(shù)據(jù)刷新時(shí)刻是內(nèi)存技能的156倍，而且具有卓越的調(diào)控性，可以完成依照數(shù)據(jù)有用時(shí)刻需求設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)……通過測驗(yàn)，研討人員發(fā)現(xiàn)這種根據(jù)全二維資料的新式異質(zhì)結(jié)可以完成全新的第三類存儲(chǔ)特性。

　　2017年，團(tuán)隊(duì)在Small上報(bào)導(dǎo)了使用二維半導(dǎo)體的豐厚能帶結(jié)構(gòu)特性處理電荷存儲(chǔ)技能中的“過擦除”現(xiàn)象。后續(xù)在存儲(chǔ)器研討中，團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)使用二維半導(dǎo)體完成新式結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)后，會(huì)有更多“奇異新特性”。

　　二維資料發(fā)端于石墨烯的發(fā)現(xiàn)，在平面內(nèi)存在強(qiáng)有力的化學(xué)鍵鍵合，而層與層之間則依托分子間作用力堆疊在一起。因此，二維資料可以獲得單層的具有完美界面特性的原子等級(jí)晶體。一起它是一個(gè)兼有導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的完好體系。

　　這對集成電路器材進(jìn)一步微縮并進(jìn)步集成度、穩(wěn)定性以及開發(fā)新式存儲(chǔ)器都有著巨大潛力，是下降存儲(chǔ)器功耗和進(jìn)步集成度的簇新途徑。根據(jù)二維半導(dǎo)體的準(zhǔn)非易失性存儲(chǔ)器可在大標(biāo)準(zhǔn)組成技能基礎(chǔ)上完成高密度集成，將在極低功耗高速存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)有用期自由度使用等多范疇發(fā)揮重要作用。